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IRF9640STR

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IRF9640STRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
5950
全新原厂原装现货
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IRF9640STR 优势库存
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SOT263
2023+
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TO-263
2023+
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原装现货，价格优势
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Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
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全新原装进口现货品质保证
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Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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IRF9640STRL
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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D2PAK（TO-263）
2023+
6660
全新原装进口现货品质保证
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TO-263
2023+
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IRF9640STRL
Vishay/Silicon..
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2023+
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IRF9640STRR
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TO-263
2023+
5000
品质保证,价格优惠
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TO263
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D2-Pak
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12557
工厂配单，价格优势
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TO-263
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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IRF9640STRLPBF
VISHAY
D2-PAK (TO-2..
2023+
1,600
全新原装，香港现货
IRF9640STRRPBF
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TO-263
2023+
30315
全新原装现货，价格优惠
IRF9640STRL
VISHAY/IR
原厂原包装
2023+
26601
全新原装现货，价格优惠
IRF9640STRLPBF
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2023+
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全新原装现货，价格优惠
IRF9640STRR
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进口原装 库房现货
2023+
5600
IRF9640STRLPBF
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原装现货
2023+
4500
IRF9640STRL
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原装现货
2023+
4500
相关型号： IRF9640SPBF IRF9640S IRF9640PBF IRF9640LPBF IRF9640L IRF9640

IRF9640STRL
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IRF9640STRL参数：MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L,Z)SeriesSide1 IR(F,L,Z)SeriesSide2
标准包装：800
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：500毫欧@6.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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