IRF9910PBF参数：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A，12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13.4毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.55V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
