IRF9952TR

IRF9952TR
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IRF9952TR参数：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.5A，2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：190pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO