IRF9910参数：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A，12A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.4 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.55V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：900pF @ 10V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
