IRF9Z24NPBF参数：MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF9Z24NPBFSaberModel IRF9Z24NPBFSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：175毫欧@7.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：350pF@25V功率-最大值：45W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB