IRF9Z34NPBF参数：MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：620pF@25V功率-最大值：68W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB