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IRF9Z34S

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TO-263(D2PAK)
2023+
5950
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SOT263
2023+
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TO263
2023+
813
原装现货，价格优势
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TO-263
2023+
4556
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IRF9Z34STRR
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
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D2PAK（TO-263）
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1250
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1250
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2023+
1250
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2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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IRF9Z34S
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D2-PAK
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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1200
品质保证,价格优惠
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IRF9Z34STRL
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工厂配单，价格优势
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工厂配单，价格优势
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全新原装现货，价格优惠
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原厂原包装
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VISHAY
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26549
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30223
全新原装现货，价格优惠
IRF9Z34STRRPBF
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库房现货原装进口
2023+
5600
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IRF9Z34S
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IRF9Z34S参数：MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L,Z)SeriesSide1 IR(F,L,Z)SeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@11A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：34nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@25V
功率-最大值：3.7W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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