IRFB17N50LPBF参数:MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2标准包装:1,000系列:-包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):500V电流-连续漏极(Id)(25°C时):16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):320毫欧@9.9A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):130nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2760pF@25V功率-最大值:220W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB