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IRFB18N50K

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IRFB18N50K 优势库存
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2023+
13350
原装现货质量保证
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2023+
2614
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原装现货价格优势
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全新进口原装现货,保证质量
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2023+
24260
品质保证,价格优惠
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全新原装，香港现货
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进口原装 库房现货
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IRFB18N50K
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IRFB18N50K参数：MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2830pF @ 25V
功率 - 最大值：220W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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