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IRFB20N50K

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IRFB20N50K 优势库存
IR
TO-220
2023+
450
原装现货质量保证
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IRFB20N50KPBF
Vishay Silicon..
TO-220AB
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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IRFB20N50K
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TO-220
2023+
6557
原装现货价格优势
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Vishay/Silicon..
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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电话：18923786596
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IRFB20N50K
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TO-220
2023+
9000
品质保证,价格优惠
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电话：0755-23816885
联系人：洪小姐
QQ询价
IRFB20N50KPBF
IR
TO-220
2023+
748
深圳现货，专业配套
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电话：0755-83217923
联系人：销售部
QQ询价
IRFB20N50KPBF
VISHAY
TO-220AB
2023+
600
全新原装，香港现货
IRFB20N50K
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TO-220AB
2023+
29953
全新原装正品特价优惠
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进口原装 库房现货
2023+
5600
IRFB20N50KPBF
VISHAY
TO-220AB
2023+
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只做原装正品现货
相关型号： IRFB18N50KPBF IRFB18N50K IRFB17N60KPBF IRFB17N60K IRFB17N50LPBF IRFB17N50L

IRFB20N50KPBF
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IRFB20N50KPBF参数：MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2870pF@25V
功率-最大值：280W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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