首页 > IC > I-1278页 >

IRFB23N20DPBF

供应查询
您是不是要找：IRFB24N20DIRFB260IRFB260NIRFB260NPBFIRFB28N15D
IRFB23N20DPBF
Infineon Techn..
TO-220AB
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IRFB23N20DPBF
InternationalR..
TO-220-3
2023+
6056
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IRFB23N20DPBF
IR
TO-220
2023+
141
全新原装现货,特价热卖
深圳市迈特新科技有限公司 VIP会员
电话：0755-83217923
联系人：李先生
QQ询价
IRFB23N20DPBF
INFINEON/IR
TO-220AB
2023+
6,200
全新原装，香港现货
IRFB23N20DPBF
IR
TO-220-3
2023+
26000
晶体管
IRFB23N20DPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRFB23N20D IRFB23N15DPBF IRFB20N50KPBF IRFB18N50KPBF IRFB18N50K IRFB17N60KPBF

IRFB23N20DPBF
PDF资料下载

IRFB23N20DPBF参数：MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@14A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：86nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1960pF@25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网