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IRFB3077

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TO-220
2023+
9350
原装现货质量保证
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IRFB3077PBF
Infineon Techn..
TO-220AB
2023+
3386
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500
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2023+
2278
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4238
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TO-220-3
2023+
2781
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TO-220-3
2023+
398
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TO-220-3()
2023+
415
品质保证,价格优惠
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INFINEON/IR
TO-220AB
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1,550
全新原装，香港现货
IRFB3077PBF
NO MFR
原厂原包装
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全新原装进口特价
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TO-220-3
2023+
26000
晶体管
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TO-220-3
2023+
26000
晶体管
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IRFB3077GPBF
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IRFB3077GPBF参数：MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.3毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：220nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：9400pF@50V
功率-最大值：370W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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