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IRFB3207

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IRFB3207 优势库存
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TO-220
2023+
450
原装现货质量保证
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IRFB3207ZPBF
Infineon Techn..
TO-220AB
2023+
17345
全新原装进口现货品质保证
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2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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2023+
3757
原装现货价格优势
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TO-220AB
2023+
6278
全新进口原装现货,保证质量
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IRFB3207
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TO-220AB
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全新进口原装现货,特价热卖
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TO-220-3
2023+
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全新进口原装现货品质保证
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IRFB3207PBF
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TO-220-3
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全新进口原装现货品质保证
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IRFB3207ZGPBF
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TO-220-3
2023+
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全新进口原装现货品质保证
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IRFB3207Z
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2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRFB3207
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TO-220
2023+
350
品质保证,价格优惠
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IRFB3207PBF
INFINEON/IR
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1,450
全新原装，香港现货
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全新原装，香港现货
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原厂原包装
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全新原装正品特价优惠
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原装正品，价格优势！
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DIP
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IRFB3207ZGPBF
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TO-220-3
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26000
晶体管
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TO-220-3
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IRFB3207PBF
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全新原装现货
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IRFB3207
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TO-220AB
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原装现货，假一赔十
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2023+
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只做原装正品现货
相关型号： IRFB3206PBF IRFB3206GPBF IRFB31N20DPBF IRFB3077PBF IRFB3077GPBF IRFB3006PBF

IRFB3207PBF
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IRFB3207PBF参数：MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFB3207PBFSaberModel IRFB3207PBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：170A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：260nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：7600pF@50V
功率-最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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