IRFB3256PBF参数:MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):75A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3.4毫欧@75A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):195nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):6600pF@48V功率-最大值:300W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB