IRFB4110GPBF参数：MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@75A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：210nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：9620pF@50V功率-最大值：370W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
