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IRFB5615

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IRFB5615PBFXKMA1
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TO-220AB
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Infineon
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10,000
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TO-220-3
2023+
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晶体管
相关型号： IRFB52N15DPBF IRFB4710PBF IRFB4620PBF IRFB4615PBF IRFB4610PBF IRFB4610

IRFB5615PBF
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IRFB5615PBF参数：MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFB5615PBFSaberModel IRFB5615PBFSpiceModel
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：39毫欧@21A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1750pF@50V
功率-最大值：144W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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