IRFB5620PBF参数：MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFB5620PBFSaberModel IRFB5620PBFSpiceModel标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：25A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：72.5毫欧@15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1710pF@50V功率-最大值：144W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
