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IRFB9N30A

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IRFB9N30A

TO-220

2023+

977

原装现货质量保证

深圳市同亨电子有限公司..

电话：0755-23816885
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IRFB9N30APBF

Vishay Silicon..

TO-220AB

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

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TO-220

2023+

13278

全新进口原装现货,保证质量

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

IRFB9N30APBF

Vishay/Silicon..

TO-220-3

2023+

1250

全新进口原装现货品质保证

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

IRFB9N30A

Vishay/Silicon..

TO-220-3

2023+

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电话：18923786596
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Vishay/Silicon..

TO-220-3()

2023+

6000

品质保证,价格优惠

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IRFB9N30A

TO-220

2023+

20985

全新原装正品特价优惠

IRFB9N30APBF

进口原装库房现货

2023+

5600

相关型号： IRFB812PBF IRFB7446PBF IRFB7446GPBF IRFB7440PBF IRFB7440GPBF IRFB7437PBF

IRFB9N30A
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IRFB9N30A参数：MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：300V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 25V
功率 - 最大值：96W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

IRFB9N30A

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