IRFBA22N50APBF参数：MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IRFBA22N50APBFSide标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：230毫欧@13.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：115nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3400pF@25V功率-最大值：340W安装类型：通孔封装：Super-220?供应商器件封装：SUPER-220?（TO-273AA）
