IRFBA90N20DPBF参数:MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRFBA90N20DPBFSaberModel IRFBA90N20DPBFSpiceModel标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):98A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):23毫欧@59A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):240nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):6080pF@25V功率-最大值:650W安装类型:通孔封装:Super-220?-3(直引线)供应商器件封装:SUPER-220?(TO-273AA)