IRFBE30PBF参数：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2标准包装：1,000系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@2.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：78nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@25V功率-最大值：125W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB