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IRFBF20

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TO263
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2023+
24260
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2023+
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D2-pak
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2023+
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工厂配单，价格优势
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12557
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IRFBF20PBF
VISHAY
TO-220AB
2023+
1,650
全新原装，香港现货
IRFBF20SPBF
VISHAY
D2-PAK (TO-2..
2023+
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VISHAY
D2-PAK (TO-2..
2023+
7,200
全新原装，香港现货
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SILICONIX
原厂标准封装
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IRFBF20S
VISHAY
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VISHAY/IR
原厂原包装
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TO-220
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30243
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全新原装现货，价格优惠
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原装现货
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IR/FSC
库房现货原装进口
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进口原装 库房现货
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进口原装 库房现货
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5600
IRFBF20S
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TO-263
2023+
14999
原装现货，假一赔十
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相关型号： IRFBE30STRR IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRL IRFBE30SPBF IRFBE30S IRFBE30PBF

IRFBF20
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IRFBF20参数：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：900V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：490pF @ 25V
功率 - 最大值：54W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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