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IRFBG20PBF

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相关型号： IRFBG20L IRFBG20 IRFBF30STRR IRFBF30STRL IRFBF30SPBF IRFBF30S

IRFBG20PBF
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IRFBG20PBF参数：MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11欧姆@840mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：500pF@25V
功率-最大值：54W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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