IRFBG30参数：MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 1.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：980pF @ 25V功率 - 最大值：125W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
