IRFD123PBF参数：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IR(F,L)DSeriesSide1 IR(F,L)DSeriesSide2标准包装：2,500系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：270毫欧@780mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：360pF@25V功率-最大值：1.3W安装类型：通孔封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
