IRFD9024参数:MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 960mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):570pF @ 25V功率 - 最大值:1.3W安装类型:通孔封装:4-DIP(0.300",7.62mm)供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP