IRFD9110PBF参数:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: IR(F,L)DSeriesSide1 IR(F,L)DSeriesSide2标准包装:2,500系列:-包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):700mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.2欧姆@420mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):8.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):200pF@25V功率-最大值:1.3W安装类型:通孔封装:4-DIP(0.300",7.62mm)供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP