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IRFH3707TR

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相关型号： IRFH3702TRPBF IRFH3702TR2PBF IRFDC20PBF IRFDC20 IRFD9220PBF IRFD9220

IRFH3707TR2PBF
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IRFH3707TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFH3707TR2PBFSaberModel IRFH3707TR2PBFSpiceModel
标准包装：400
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.4毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.1nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：755pF@15V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-PQFN（3x3）

IRFH3707TR

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