IRFH4210DTRPBF参数：MOSF N CH 25V 44A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：44A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.10 毫欧 @ 50A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：77nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4812pF @ 13V功率 - 最大值：3.5W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PQFN（5x6）
