IRFH4251DTRPBF参数：MOSF N CH DL 25V 64A 188A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：*FET 类型：2 个 N 通道（双），肖特基FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：64A， 188A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1314pF @ 13V功率 - 最大值：31W， 63W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
