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IRFH5004TR

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IRFH5004TR2PBF
Infineon Techn..
8-PQFN（5x6）
2023+
500
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8-PQFN（5x6）
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InternationalR..
8-VQFN
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8-VQFN
2023+
980
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IRFH5004TR2
InternationalR..
8-VQFN
2023+
6000
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IRFH5004TR
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8-VQFN
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IRFH5004TRPBF
IR
PQFN-8
2023+
26000
晶体管
相关型号： IRFH4251DTRPBF IRFH4234TRPBF IRFH4213TRPBF IRFH4213DTRPBF IRFH4210TRPBF IRFH4210DTRPBF

IRFH5004TR2PBF
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IRFH5004TR2PBF参数：MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：28A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.6毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4490pF@20V
功率-最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-VQFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

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