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IRFH5006TRPBF

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IRFH5006TRPBF
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IRFH5006TRPBF参数：MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFH5006TR2PBFSaberModel IRFH5006TR2PBFSpiceModel
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.1毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4175pF@30V
功率-最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVQFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）

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