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IRFH5020TRPBF

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IRFH5020TRPBF
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IRFH5020TRPBF参数：MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@7.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：54nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF@100V
功率-最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-VQFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

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