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IRFH5053TR

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IRFH5053TRPBF 优势库存
IR
QFN84K
2023+
8350
全新原厂原装现货
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IRFH5053TR2PBF
Infineon Techn..
PQFN（5x6）单芯片..
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500
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8-PQFN，8-Pow..
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23350
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IRFH5053TR2
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6000
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IRFH5053TRPBF
10000
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IRFH5053TRPBF
IR
PQFN-8
2023+
26000
晶体管
相关型号： IRFH5025TRPBF IRFH5025TR2PBF IRFH5020TRPBF IRFH5020TR2PBF IRFH5015TRPBF IRFH5015TR2PBF

IRFH5053TR2PBF
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IRFH5053TR2PBF参数：MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：400
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@9.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1510pF@50V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

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