IRFH5053TR2PBF参数：MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：400系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@9.3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1510pF@50V功率-最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
