IRFH5110TRPBF参数：MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFH5110TR2PBFSaberModel IRFH5110TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.4毫欧@37A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：72nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3152pF@25V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）
