IRFH5204TR2PBF参数：MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFH5204TR2PBFSaberModel IRFH5204TR2PBFSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：22A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.3毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2460pF@25V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-VQFN裸露焊盘供应商器件封装：PQFN（5x6）
