IRFH5210TR2PBF参数：MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFH5210TR2PBFSaberModel IRFH5210TR2PBFSpiceModel特色产品： Mid-VoltagePowerMOSFETs标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14.9毫欧@33A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：59nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2570pF@25V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）
