IRFH5220TR2PBF参数：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带 (CT)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：99.9 毫欧 @ 5.8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1380pF @ 50V功率 - 最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-VQFN 裸露焊盘供应商器件封装：PQFN（5x6）
