IRFH5220TRPBF参数：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：99.9毫欧@5.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1380pF@50V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-VQFN裸露焊盘供应商器件封装：PQFN（5x6）
