IRFH5250DTRPBF参数：MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFH5250DTR2PBFSaberModel IRFH5250DTR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：83nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6115pF@13V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
