IRFH5250TR2PBF参数：MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFH5250TR2PBFSaberModel IRFH5250TR2PBFSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：45A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.15毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：7174pF@13V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-VQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
