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IRFH5302TR

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IRFH5302TRPBF
IR
PQFN-8
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相关型号： IRFH5302DTRPBF IRFH5302DTR2PBF IRFH5301TRPBF IRFH5301TR2PBF IRFH5300TRPBF IRFH5300TR2PBF

IRFH5302TR2PBF
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IRFH5302TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFH5302TR2PBFSaberModel IRFH5302TR2PBFSpiceModel
标准包装：400
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.1毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：76nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4400pF@15V
功率-最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

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