IRFH7107TRPBF参数：MOSF N CH 75V 14A PQFN 5X6E
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：75V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5毫欧@45A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：72nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3110pF@25V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
