IRFH7110TR2PBF参数：MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带 (CT)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.5 毫欧 @ 35A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：87nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3240pF @ 25V功率 - 最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-TQFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
