IRFH7911TR2PBF参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 5X6 PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带 (CT)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13A，28A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1060pF @ 15V功率 - 最大值：2.4W，3.4W安装类型：表面贴装封装：18-PowerVQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）
