IRFH7911TRPBF参数：MOSFET N-CH 30V DUAL PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A，28A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.6毫欧@12A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1060pF@15V功率-最大值：2.4W，3.4W安装类型：表面贴装封装：18-PowerVQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）
