IRFH7932TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFH7932TR2PBFSaberModel IRFH7932TR2PBFSpiceModel标准包装：400系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.3毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4270pF@15V功率-最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
