IRFH8311TRPBF参数：MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.1毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：66nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4960pF@10V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-TQFN裸露焊盘供应商器件封装：PQFN（5x6）
