IRFH3702TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFH3702TR2PBFSaberModel IRFH3702TR2PBFSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.1毫欧@16A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1510pF@15V功率-最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-PQFN（3x3）
